Wacker investiert 300 Millionen Euro in Produktionskapazitäten für Halbleiter-Polysilicium

Neue Produktionslinie in Burghausen zur Reinigung von Polysilicium in Halbleiterqualität geplant

Am Standort Burghausen baut Wacker seine Kapazitäten für die Reinigung von Polysilicium in Halbleiterqualität aus

Wacker Chemie will die Kapazitäten für die Reinigung von Polysilicium in Halbleiterqualität ausbauen. Geplant ist demnach, am Standort Burghausen bis Anfang 2025 eine neue Fertigungslinie zu errichten. Gegenüber dem jetzigen Stand erhöhen die neuen Anlagen die dort bestehenden Kapazitäten um deutlich mehr als 50 Prozent. Das Ätzen der Polysiliciumstücke ist der entscheidende Produktionsschritt, um die für Halbleiteranwendungen erforderliche Oberflächenreinheit des Materials zu gewährleisten. Das Investitionsvolumen für das Gesamtprojekt liegt voraussichtlich in der Größenordnung von über 300 Millionen Euro. Am Standort Burghausen entstehen dadurch mehr als 100 neue Arbeitsplätze bei Wacker sowie weitere Arbeitsplätze bei Partnerfirmen.

Neben der Kapazitätserweiterung beinhaltet das Projekt substanzielle Investitionen in Forschung und Innovation. Ziel ist es dabei, durch neue hochautomatisierte Verfahren die Reinheit des Polysiliciums weiter zu erhöhen und damit noch kleinere Strukturbreiten bei Halbleitern zu ermöglichen und diese noch leistungsfähiger zu machen. Wacker hat sich für diesen Teil des Gesamtprojekts um eine Förderung im Rahmen des EU-Programms „Important Projects of Common European Interest“ (IPCEI) beworben. Die Europäische Kommission hat hierzu am 8. Juni 2023 die erforderliche beihilferechtliche Genehmigung erteilt. Bei der nun anstehenden Bewilligung des Antrags durch das Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz rechnet das Unternehmen mit einer Förderung in Höhe von bis zu 46 Millionen Euro.

Projekt steigert bestehende Reinigungskapazität ab Anfang 2025 um mehr als 50 Prozent

„Als einziger europäischer Hersteller von hochreinem Polysilicium sind wir stolz darauf, mit diesem Vorhaben einen wichtigen Betrag zu leisten, die europäische Wertschöpfungskette in der Mikroelektronik zu stärken“, betont Christian Hartel, Vorstandsvorsitzender von Wacker. Gleichzeitig, so der Konzernchef, sei dieses Investitionsprojekt ein wichtiger Baustein in der Strategie des Unternehmens, mit Polysilicium weiter stark auf die qualitativ anspruchsvollsten Anwendungen zu setzen. „Durch den Ausbau unserer Kapazitäten für die Oberflächenreinigung schaffen wir nicht nur die Voraussetzung, um die weiter stark wachsende Nachfrage unserer Halbleiterkunden zu bedienen. Diese Investition ermöglicht es uns außerdem, bei der Qualität unseres Materials einen weiteren Sprung nach vorne zu machen, um auch die neuesten Technologien der Halbleiterindustrie zu unterstützen“, so Hartel weiter.

Wacker Polysilicon will Umsatz bis 2030 mit Kunden aus der Halbleiterindustrie verdoppeln

Bei der Vorstellung seiner neuen Wachstumsziele im Frühjahr vergangenen Jahres hatte das Unternehmen bekanntgegeben, sich künftig in seinem Polysiliciumgeschäft neben der Herstellung von Material für Solarzellen mit besonders hohem Wirkungsgrad auf den Ausbau seiner Kapazitäten für Halbleiteranwendungen zu konzentrieren. Der Geschäftsbereich Wacker Polysilicon will bis zum Jahr 2030 den Umsatz mit Kunden aus der Halbleiterindustrie verdoppeln. Dafür sind in den nächsten Jahren Investitionen von jeweils rund 100 Millionen Euro vorgesehen.

Reinheit entspricht bereits zukünftigen Generationen von Halbleiterwafern

Die Oberflächenreinigung von Polysiliciumstücken, die als Ausgangsmaterial für die Herstellung von Halbleiterwafern verwendet werden, ist ein komplexer und technisch sehr anspruchsvoller Prozess. In einem Ätzvorgang wird dabei mit Hilfe starker Säuren die oberste Schicht an der Oberfläche des Polysiliciums abgetragen. Anschließend wird es unter Reinraumbedingungen für den Versand zu den Kunden verpackt. Durch den Einsatz moderner Technologien und einen hohen Automatisierungsgrad wird in den neuen Anlagen eine Oberflächenreinheit erzielt, die bereits jetzt den immer weiter steigenden Anforderungen für zukünftige Generationen von Halbleiterwafern entspricht.
 

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